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Ciências Agrárias
Publicado: 2020-01-03

Produção de mudas de alface (lactuca sativa) submetidas a diferentes doses de Silício

Escola Técnica Estadual de Canarana
Instituto Federal de Mato Grosso- Campus São Vicente
Instituto Federal de Mato Grosso- Campus São Vicente
Instituto Federal de Mato Grosso- Campus São Vicente
Engenheira Agrônoma
Universidade Estadual de Goiás - São Luís de Montes Belos
calcium silicate Lactuca sativa cell wall

Resumo

O presente trabalho teve como objetivo avaliar o efeito de diferentes doses de silício na produção de mudas de alface. Os tratamentos foram arranjados em esquema fatorial 4x2, totalizando 8 tratamentos. O primeiro fator correspondeu a 4 doses de Si (silicato de Ca) adicionados ao substrato para produção de mudas (0; 13,3; 32,3 e 53,2 g.kg de Si no substrato). O segundo fator correspondeu a duas variedades de alface, sendo Mônica SF31 (Crespa) e Rafaela (Americana). O delineamento experimental foi o inteiramente casualizados, com 4 repetições. Foram avaliados o número de folhas (NF), massa fresca parte aérea (MFPA), massa seca da parte aérea (MSPA), massa fresca radicular (MFRA) e massa seca radicular (MSRA). Os dados foram submetidos à análise de variância pelo teste F, e as médias dos tratamentos comparadas pelo teste de Tukey a 5% de probabilidade. As mudas das variedades de alface Mônica SF31 e Rafaela não apresentam diferenças quanto a exigência de Si para produção de MFPA, MSPA, MFRA e MSRA. A aplicação de Si no substrato pode ser alternativa viável para produção de mudas de alface com maior NF, MFPA, MSPA, MFRA e MSRA. Doses de 32,0 a 43,7 g.kg-1 de Si no substrato são adequadas a maior produção de MFPA, MSPA, MFRA e MSRA de mudas de alface Mônica SF31. Doses de 31,5 a 39,8 g.kg-1 de Si no substrato são adequadas a maior produção de MFPA, MSPA, MFRA e MSRA de mudas de alface Rafaela. 

Referências

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Como Citar

Gonzaga, T. O. D., Araujo, C., Andrade, A. L., Ribeiro-Santos, J. M. ., Silva, G. B., & Silva, V. L. (2020). Produção de mudas de alface (lactuca sativa) submetidas a diferentes doses de Silício. Scientific Electronic Archives, 13(1), 1–7. https://doi.org/10.36560/1312020863